IRF7809AV

IR MOSFET 30 V in a SO-8 package
データシート

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IRF7809AV
IRF7809AV
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    13.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @4.5V)
    41 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    9 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th) min
    1 V
  • VGS max
    12 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.43
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS , lighting , load switches as well as battery powered applications.

利点

  • RoHS compliant
  • Low RDS(on)
  • Industry-leading quality
  • Dynamic dv/dt rating
  • Fast switching
  • Fully avalanche rated
  • 175°C operating temperature

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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