IRF7809AV

IRF7809AV

IR MOSFET 30 V in a SO-8 package

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IRF7809AV
IRF7809AV


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    13.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.5 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @4.5V)
    41 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    9 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) (最小)
    1 V
  • VGS (最大)
    12 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.43
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS , lighting , load switches as well as battery powered applications.

利点

  • RoHS compliant
  • Low RDS(on)
  • Industry-leading quality
  • Dynamic dv/dt rating
  • Fast switching
  • Fully avalanche rated
  • 175°C operating temperature

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ