IRF150P221
Active and preferred
RoHS対応

IRF150P221

150V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-247 Package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IRF150P221
IRF150P221
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    186 A
  • ID (@ TC=100°C) (最大)
    132 A
  • IDpuls (最大)
    507 A
  • Ptot (最大)
    341 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    3.8 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    80 nC
  • QG (最大)
    100 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4.5 mΩ
  • RthJA (最大)
    40 K/W
  • RthJC (最大)
    0.44 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4.6 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 予算価格€/ 1k
    2.64
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

推奨
OPN
IRF150P221AKMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 400
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 400
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
個.
在庫あり

特長

  • Very low RDS(on)
  • Excellent gate charge x RDSon
  • Optimized Qrr
  • 175°C operating temperature
  • Validation according to JEDEC standard
  • Optimized for broadest availability

利点

  • Reduced conduction losses
  • Ideal for high switching frequency
  • Lower overshoot voltage
  • Enhanced reliability over 150°C parts
  • Halogen-free according to IEC61249-2-21
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ