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RoHS準拠
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IR21814S

600 V high-side and low-side gate driver IC
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IR21814S
IR21814S
EA.
データシート

Product details

  • VBS UVLO (On)
    8.9 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • アイソレーション タイプ
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    220 ns
  • 伝搬遅延オン
    180 ns
  • 入力 Vcc
    10 V to 20 V
  • 出力電流 (Source)
    1.9 A
  • 出力電流 (Sink)
    2.3 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V
推奨
OPN
IR21814STRPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
SOIC 14N
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SOIC 14N
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
600 V High and Low Side Driver IC with typical 1.9 A source and 2.3 A sink currents in 14 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 14 Lead PDIP, 8 Lead SOIC, and 8 Lead PDIP.For the new version with our SOI technology we recommend 2ED21814S06J , providing integrated bootstrap diode, better robustness and higher switching frequency

機能

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervolt. lockout for both channel
  • 3.3 V & 5 V input logic compatible
  • Matched prop. delay for both chan.
  • Logic & power ground +/- 5 V offset
  • Lower di/dt gate driver
  • Output source current capabi. 1.4 A
  • Output sink current capabi. 1.8 A

用途

図

Circuit_Diagramm_IR21814
Circuit_Diagramm_IR21814
Circuit_Diagramm_IR21814 Circuit_Diagramm_IR21814 Circuit_Diagramm_IR21814
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ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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