IPB65R225C7

データシート

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IPB65R225C7
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データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    11 A
  • ID (@25°C) (最大)
    11 A
  • IDpuls (最大)
    41 A
  • Ptot (最大)
    63 W
  • QG
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    20 nC
  • RDS (on) (最大)
    225 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    225 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    1.99 K/W
  • Rth
    1.99 K/W
  • VDS (最大)
    650 V
  • VGS(th) (範囲)
    3 V ～ 4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    D2PAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.87
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    highest performance
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

特長

  • 650V voltage
  • Revolutionary best-in-class R DS(on)/package
  • Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
  • Lower gate charge Qg
  • Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
  • 12 years manufacturing experience in superjunction technology

利点

  • Improved safety margin and suitable for both SMPS and solar inverter applications
  • Lowest conduction losses/package
  • Low switching losses
  • Better light load efficiency
  • Increasing power density
  • Outstanding CoolMOS™ quality

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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