IMZ120R350M1H
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IMZ120R350M1H

CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
データシート
パッケージ

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IMZ120R350M1H
IMZ120R350M1H
データシート


製品仕様情報


OPN
IMZ120R350M1HXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 350 mΩ G1 in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. The SiC MOSFET offers the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic.

特長

  • Best in class switching losses
  • Best in class conduction losses
  • Benchmark high threshold voltage
  • Vth > 4 V
  • 0V turn-off gate voltage for easy
  • Simple gate drive
  • Wide gate-source voltage range
  • Robust and low loss body diode
  • Rated for hard commutation
  • Temp. ind. turnoff switching losses
  • Driver source pin
  • Optimized switching performance

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ