IMBG65R040M2H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMBG65R040M2H

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in D2PAK-7 package, 40 mΩ
データシート
パッケージ

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IMBG65R040M2H
IMBG65R040M2H
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    49 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    49 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    40 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.76 K/W
  • VDS (最大)
    650 V
  • パッケージ
    D2PAK 7-pin
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
IMBG65R040M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,MY
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,MY
The CoolSiC™ MOSFET 650 V, 40 mΩ G2 in a D2PAK-7 (TO-263-7) package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

特長

  • Excellent figures of merit (FOMs)
  • Best-in-class RDS(on)
  • High robustness and overall quality
  • Flexible driving voltage range
  • Support for unipolar driving (VGSoff=0)
  • Best immunity against turn-on effects
  • Improved package interconnect with .XT

利点

  • Enables BOM savings
  • Maximizes the system performance per $
  • Highest reliability
  • Enables top efficiency and power density
  • Ease-of-use
  • Full compatibility with existing vendors
  • Allows designs without fan or heatsink
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ