IKW15N120BH6
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IKW15N120BH6

1200 V, 15 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ

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IKW15N120BH6
IKW15N120BH6
データシート


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.55 mJ
  • Eon
    0.7 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    15 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    30 A
  • ICpuls (最大)
    60 A
  • IF (最大)
    15 A
  • IFpuls (最大)
    60 A
  • Irrm
    8.3 A
  • Ptot (最大)
    200 W
  • QGate
    92 nC
  • Qrr
    8.3 µC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    22 Ω
  • td(off)
    240 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    27 ns
  • tr
    29 ns
  • tSC
    3 µs
  • VCE(sat)
    1.9 V
  • VF
    2 V
  • スイッチング周波数 範囲
    18 kHz～60 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    TRENCHSTOP™ IGBT6

OPN
IKW15N120BH6XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
DE

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE
Hard-switching 1200 V, 15 A high speed TRENCHSTOP™ IGBT6 in a TO-247 package co-packed with a very soft and fast recovery anti-parallel diode is optimized for the best compromise between switching and conduction losses.

特長

  • High efficient hard switching
  • High efficient resonant topologies
  • Easy paralleling capability
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Low EMI
  • Low gate charge QG
  • Very soft, fast recovery diode
  • High ruggedness
  • Temperature stable behavior
  • Very tight parameter distribution
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ