IKQ75N120CS6
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IKQ75N120CS6

1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ

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IKQ75N120CS6
IKQ75N120CS6
データシート


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    2.95 mJ
  • Eon
    5.15 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    150 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    75 A
  • ICpuls (最大)
    300 A
  • IF (最大)
    150 A
  • IFpuls (最大)
    300 A
  • Irrm
    27 A
  • Ptot (最大)
    880 W
  • QGate
    530 nC
  • Qrr
    4.7 µC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    4 Ω
  • td(off)
    300 ns
  • td(on)
    34 ns
  • tf
    31 ns
  • tr
    44 ns
  • tSC
    3 µs
  • VCE(sat)
    1.85 V
  • VCE (最大)
    1200 V
  • VF
    2.1 V
  • スイッチング周波数 範囲
    10 kHz～50 kHz
  • パッケージ
    TO-247PLUS-3
  • 技術
    TRENCHSTOP™ IGBT6

OPN
IKQ75N120CS6XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 PLUS
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,MX
ウェハ製造国
DE

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 PLUS
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MX
ウェハ製造国
DE
Hard-switching 1200 V, 75 A high speed TRENCHSTOP™ IGBT6 co-packed with a very soft and fast recovery full current anti-parallel diode in a TO-247PLUS 3pin package is the responding to the market requirements for high efficiency and high current density in small discrete packages.

特長

  • High efficient hard switching
  • High efficient resonant topologies
  • Easy paralleling capability
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Low EMI
  • Low gate charge QG
  • Very soft, fast recovery diode
  • High ruggedness
  • Very tight parameter distribution
  • High power density
  • Low saturation voltage*
  • *if 1.85 V and Low switching losses
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ