IJZC120R011J1
近日公開
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RoHS対応
鉛フリー

IJZC120R011J1

CoolSiC™ JFET discrete 1200 V G1 in TO-247 package
パッケージ

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IJZC120R011J1
IJZC120R011J1


製品仕様情報

  • ID (@25°C)
    106 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    10.8 mΩ
  • VDS
    1200 A
  • パッケージ
    TO-247
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ JFET
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial

OPN
IJZC120R011J1XKSA1
製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO-247-4 HC 8.8mm
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,MY

製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO-247-4 HC 8.8mm
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,MY
CoolSiC™ JFET 1200 V 1.1 mΩ in the widely used TO-247 package is optimized for solid-state power distribution and protection applications. Its low on-state resistance minimizes conduction losses in continuously conducting systems, while robust trench SiC JFET technology provides thermally stable linear-mode operation, high inductive clamping capability, and strong overload and overcurrent performance.

特長

  • 1200 V drain-source blocking voltage
  • Low RDS in a through-hole package
  • Normally-on SiC JFET technology
  • Thermally stable linear-mode operation
  • High-current avalanche ruggedness
  • Surge-current ruggedness
  • Overload operation up to Tj = 200°C
  • Established TO-247 package concept

利点

  • Minimized conduction losses
  • Reduced thermal-management effort
  • Rugged inductive fault-energy handling
  • Handling of inrush and overload events
  • Easy integration with popular package
  • Robust overload/ surge-current handling

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ