IJCQ120RM26J1
近日公開
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RoHS対応
鉛フリー

IJCQ120RM26J1

CoolSiC™ JFET discrete 1200 V G1 in top-side cooled Q-DPAK package
データシート
パッケージ

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IJCQ120RM26J1
IJCQ120RM26J1
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    1172 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    2.6 mΩ
  • VDS (最大)
    1200 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ JFET
  • 認定
    Industrial

OPN
IJCQ120RM26J1XTMA1
製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,MY

製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT,MY
CoolSiC™ JFET 1200 V in a Q-DPAK top-side-cooled package. Its ultra-low 2.6 mΩ typical RDS minimizes conduction losses in continuously conducting solid-state power-distribution and protection applications. High-current avalanche and surge-current ruggedness, linear-mode capability and overload operation up to a junction temperature of 200°C support demanding protection functions.

特長

  • 1200 V drain-source blocking voltage
  • Ultra-low RDS
  • Normally-on SiC JFET technology
  • High-current avalanche ruggedness
  • Surge-current ruggedness
  • Linear-mode capability
  • Overload operation up to Tj = 200°C
  • Q-DPAK top-side-cooled package
  • compatible with automated assembly

利点

  • Minimized conduction losses
  • Reduced thermal-management effort
  • Higher power density
  • Robust overload/ surge-current handling
  • Rugged inductive fault-energy handling
  • Support for linear-mode protection
  • Compact, automated system assembly

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ