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IGU04N60T
生産終了
生産終了
RoHS対応

IGU04N60T

生産終了
600 V, 4 A IGBT Discrete in TO-251 package
データシート
パッケージ

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IGU04N60T
IGU04N60T
データシート


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.084 mJ
  • Eon
    0.061 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    4 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    8 A
  • ICpuls (最大)
    12 A
  • Ptot (最大)
    42 W
  • QGate
    27 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    47 Ω
  • td(off)
    164 ns
  • td(on)
    14 ns
  • tf
    43 ns
  • tr
    7 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    2 kHz～20 kHz
  • ソフト スイッチング
    No
  • パッケージ
    TO-251
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™

OPN
IGU04N60TAKMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO251-3
パッケージ名 IPAK
梱包サイズ 1500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
MY

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO251-3
パッケージ名 IPAK
梱包サイズ 1500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
MY
Hard-switching 600 V, 4 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO251 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

特長

  • Lowest VCEsatdrop
  • Low switching losses
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Very soft anti-parallel diode
  • High ruggedness
  • Temperature stable behavior
  • Low EMI
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution

利点

  • Highest efficiency
  • Comprehensive portfolio
  • High device reliability
  • low conduction and switching losses
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ