IDV30E65D2
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IDV30E65D2

650 V silicon power diode in TO-220 FullPAK package
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在庫あり

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IDV30E65D2
IDV30E65D2
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製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    180 A
  • IF (最大)
    30 A
  • IF
    17.5 A
  • IR (最大)
    40 µA
  • Irrm
    5.7 A
  • Ptot (最大)
    47 W
  • Qrr
    0.25 µC
  • RthJC (最大)
    3.2 K/W
  • trr
    70 ns
  • VF (最大)
    2.2 V
  • VF
    1.6 V
  • コンフィギュレーション
    Single
  • パッケージ
    TO-220
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス (最大)
    650 V

推奨
OPN
IDV30E65D2XKSA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ PG-TO220-2
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
MY
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TO220-2
パッケージ名 -
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
MY
個.
在庫あり
Rapid 2 switching 650 V, 30 A emitter controlled power silicon diode in a TO-220 FullPAK package is designed for applications switching between 40 kHz and 100 kHz.

特長

  • Lowest reverse recovery charge Qrr
  • VF ratio for BiC performance
  • Low reverse recovery time (trr)
  • Lowest Irrmfor:
  • Lowest losses on boost switch
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ