IDP12E120
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IDP12E120

1200 V silicon power diode in TO-220 real 2-leg package
データシート
パッケージ

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IDP12E120
IDP12E120
データシート


製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    63 A
  • IF (最大)
    28 A
  • IF
    12 A
  • IR (最大)
    100 µA
  • Irrm
    17 A
  • Ptot (最大)
    96 W
  • Qrr
    1200 nC
  • RthJC (最大)
    1.3 K/W
  • trr
    150 ns
  • VF (最大)
    1.65 V
  • VF
    1.65 V
  • コンフィギュレーション
    Single
  • パッケージ
    TO-220
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V

OPN
IDP12E120XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
MY

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-2
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
MY
The 1200 V, 12 A emitter controlled silicon power diode in a TO-220 real 2-leg package displays excellent softness and VF behaviour and is qualified with a Tj(max) of 150°C. The diodes are also available halogen-free according to IEC61249-2-21.

特長

  • Lowest VF values
  • Softest diodes avail. on the market
  • Tj(max) of 175°C
  • Qualified according to JEDEC
  • Cooler packages & higher efficiency
  • Excellent EMI behavior
  • Excellent cost/perform. trade-off
  • Low conduction losses
  • Easy paralleling

アプリケーション

モーター制御
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ