IDDD10G65C6
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IDDD10G65C6

650 Vシリコンカーバイド ショットキーダイオード10 A、D-DPAKパッケージ
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パッケージ
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IDDD10G65C6
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製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    55 A
  • IF (最大)
    10 A
  • IR
    1 µA
  • Ptot (最大)
    105 W
  • QC
    14.7 nC
  • RthJC
    0.9 K/W
  • VF
    1.25 V
  • パッケージ
    D-DPAK
  • 認定
    Industrial

OPN
IDDD10G65C6XTMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-10
パッケージ名 D-DPAK
梱包サイズ 1700
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-10
パッケージ名 D-DPAK
梱包サイズ 1700
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
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Infineon Technologies introduces Double DPAK (DDPAK), the first top-side cooled surface mount device (SMD) package addressing high power SMPS applications such as PC power, solar, server and telecom. The benefits of the already existing high voltage technology CoolSiC™ Schottky diode 650V G6 is combined with the innovative concept of top-side cooling, providing a system solution for high current hard switching topologies such as PFC and a high-end efficiency solution for LLC topologies.

特長

  • Offers best-in-class VF and FOM Qc x VF
  • Improved dv/dt ruggedness
  • Easy and effective match with CoolMOS™ 7 SJ MOSFET families
  • Thermal decoupling of board and semiconductor allows to overcome thermal PCB limits
  • Reduced parasitic source inductance improves e iciency and ease-of-use
  • Enables higher power density solutions
  • Exceeding the highest quality standards

利点

  • Enabling highest energy efficiency
  • Thermal decoupling of board and semiconductor allows to overcome thermal PCB limits
  • Reduced parasitic source inductance improves e iciency and ease-of-use
  • Enables higher power density solutions
  • Exceeding the highest quality standards
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

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