IAUCN04S7N056D
Active and preferred
RoHS対応

IAUCN04S7N056D

40 V, N-Ch, 5.59mΩ max, Automotive MOSFET, Dual SSO8 (5x6), OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ

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IAUCN04S7N056D
IAUCN04S7N056D
データシート


製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) (最大)
    60 A
  • QG (typ @10V) (最大)
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    9 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    5.59 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • パッケージ
    PG-TDSON-8
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™7
  • 極性
    N+N
  • 発売年
    2024
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
IAUCN04S7N056DATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
新しい車載用OptiMOS™ 7 40 VデュアルSSO8 MOSFETは、信頼性の高いSSO8 (5 × 6 mm²) SMDパッケージで提供されます。2つの独立したNチャネルMOSFETを1つのパッケージに集積し、PCB面積の削減に寄与します。高性能、高品質に加え、要求の厳しいコスト効率重視の車載電源アプリケーションに求められる堅牢性を実現するよう設計されています。このポートフォリオは、RDS範囲 1.94 mΩ～5.59 mΩと、60 Aに向上した定格電流を提供します。

特長

  • 5 × 6 mm² の小型フットプリント
  • 60 Aの高電流対応
  • 最先端のOptiMOS™ 7 40 V
  • RDS(on) 範囲: 1.94 mΩ～5.59 mΩ
  • 高いアバランシェ耐量
  • Cuクリップ付きリードレス パッケージ

利点

  • 最高クラスの電力および電流密度
  • 放熱効果の高いパッケージ
  • 低い導通損失
  • 最適化されたスイッチング特性
  • 小型フォーム ファクター
  • JEDEC規格PG-TDSON-8

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ