FF7MR12W1M1H_B17
新規
Active and preferred
RoHS対応

FF7MR12W1M1H_B17

新規
EasyDUAL™ 1B CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール1200 V
データシート

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FF7MR12W1M1H_B17
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製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    5.8 mΩ
  • アプリケーション
    EV Charger, UPS, Solar
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 1B
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 寸法 (width)
    33.8 mm
  • 特長
    PressFIT
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
FF7MR12W1M1HB17BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 24
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
DE
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 -
梱包サイズ 24
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
DE
ウェハ製造国
AT
CoolSiC™ MOSFET enhanced generation 1を搭載したEasyDUAL™ 1B 1200 V、7 mΩのハーフブリッジ モジュール。NTC温度センサー内蔵、PressFIT Contact Technology対応。

特長

  • CoolSiC™ MOSFET 1200 V
  • 共通ソース / ケルビン接続
  • 低ゲート ループ インダクタンス
  • 高速スイッチング対応
  • 低スイッチング損失
  • 高電流対応
  • PressFITピン
  • 内蔵NTC温度センサー

利点

  • 高いシステム効率
  • 高いスイッチング周波数
  • 高い電力密度
  • 冷却要件の低減
  • スイッチング性能の向上
  • EMIの低減
  • よりコンパクトなコンバーター設計
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ