FF7MR12W1M1H_B17
新規
Active and preferred
RoHS対応

FF7MR12W1M1H_B17

新規
EasyDUAL™ 1B CoolSiC™ MOSFET half-bridge module 1200 V
データシート

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FF7MR12W1M1H_B17
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製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    5.8 mΩ
  • アプリケーション
    EV Charger, UPS, Solar
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 1B
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 寸法 (width)
    33.8 mm
  • 特長
    PressFIT
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
FF7MR12W1M1HB17BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 24
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
DE
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-EASY1B
パッケージ名 -
梱包サイズ 24
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
DE
ウェハ製造国
AT
EasyDUAL™ 1B 1200 V, 7 mΩ half-bridge module with CoolSiC™ MOSFET enhanced generation 1, integrated NTC temperature sensor and PressFIT Contact Technology.

特長

  • CoolSiC™ MOSFET 1200 V
  • Common-source / Kelvin connection
  • Low gate-loop inductance
  • Fast switching capability
  • Low switching losses
  • High current capability
  • PressFIT pins
  • Integrated NTC temperature sensor

利点

  • High system efficiency
  • High switching frequency
  • High power density
  • Reduced cooling requirements
  • Improved switching performance
  • Lower EMI
  • More compact converter design
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ