FF1000R12KE7I_S8
新規
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

FF1000R12KE7I_S8

新規
1200 V, 1000 A half-bridge IGBT module
データシート
個.
在庫あり

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FF1000R12KE7I_S8
FF1000R12KE7I_S8
個.
データシート


製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    1000 A
  • IC (最大)
    1000 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 技術
    IGBT7 - E7
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V

推奨
OPN
FF1000R12KE7IS8HPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
HU
ウェハ製造国
DE,MY
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
HU
ウェハ製造国
DE,MY
個.
在庫あり
62 mm 1200 V, 1000 A half-bridge low sat & fast trench IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, 175°C continuous operation temperature and improved IGBT performance.

特長

  • Tvj op = 175°C continuous
  • Highest power density
  • Screw power terminals
  • Isolated baseplate
  • 20% improved diode performance

利点

  • higher inverter output current
  • less parallelization of the modules>
  • reduction of total system cost
  • reduced cooling efforts
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ