CY62148EV30LL-55SXI
Active and preferred
RoHS対応

CY62148EV30LL-55SXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62148EV30LL-55SXI
CY62148EV30LL-55SXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    55 ns

推奨
OPN
CY62148EV30LL-55SXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-32
パッケージ名 SOIC-32 (51-85081)
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
CY62148EV30LL-55SXIは4-Mbit（512K×8）のCMOS非同期SRAMで、32ピンPbフリーSOIC（55 ns品種）です。2.2 V～3.6 V、–40°C～+85°Cで動作し、CE/OE/WE制御により読み書きとメモリ拡張が容易です。VCC = 3.60 V時、ICCは1 MHzで3.5 mA典型（最大6 mA）、CEがHIGHで自動パワーダウンし、スタンバイは2.5 µA典型（最大7 µA）で、携帯機器の組み込みメモリに適します。

特長

  • 4 Mbit SRAM(512K×8)
  • 電源電圧2.2 V～3.6 V
  • 読出しサイクルtRC 45 ns
  • OE LOW→データ有効22 ns
  • CE HIGHで自動パワーダウン
  • スタンバイ電流 2.5 µA typ
  • スタンバイ電流 7 µA max
  • 1 MHz時動作電流 3.5 mA typ
  • VCC=1.5 Vでデータ保持
  • 保持電流 8.8 µA max
  • CE/OE HIGHでI/OはハイZ
  • 入出力容量 10 pF max

利点

  • 高速読出しでCPU待ちを低減
  • 広いVCCで3.3 V系に適合
  • 自動パワーダウンで待機電力低減
  • µA級待機で電池寿命を延長
  • 低動作電流で省エネ
  • 1.5 V保持でデータを維持
  • ハイZ出力でバス共有が容易
  • 低容量で高速エッジに対応
  • 高速OEでスループット向上
  • CE/OE制御で増設が容易
  • 低電源電流で発熱を低減
  • 明確なタイミングで設計容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ