CY62146EV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62146EV30LL-45BVXIT

個.
在庫あり

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CY62146EV30LL-45BVXIT
CY62146EV30LL-45BVXIT
個.


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial

OPN
CY62146EV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
個.
在庫あり
CY62146EV30LL-45BVXITは4 Mbit(256K×16)のCMOS SRAMで、バッテリ駆動機器向けに45 nsアクセスと2.2 V~3.6 V電源、−40°C~+85°C動作に対応します。CE非アクティブ時は自動パワーダウンを行い、VCC=3.6 Vでスタンバイ電流は典型2.5 µA(最大7 µA)、1 MHzで動作電流は典型3.5 mAです。BHE/BLEで8ビット読書き対応。48ボールPb-free VFBGA。

特長

  • 256K×16 CMOS SRAM構成
  • 読書込みサイクル45 ns
  • OE→データ有効22 ns
  • VCC動作2.2 V~3.6 V
  • 1 MHz時ICC典型3.5 mA
  • スタンバイ典型2.5 µA
  • スタンバイ最大7 µA
  • CE Highで自動パワーダウン
  • データ保持電圧VDR=1.5 V
  • 保持電流最大8.8 µA
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • 非選択/OEで出力3ステート

利点

  • 16ビットSRAMでMCUバス適合
  • 45 nsで高速コード/データ処理
  • OE22 nsで読出し切替短縮
  • 2.2~3.6 Vで3 V電源に対応
  • 動作3.5 mAで電池寿命を延長
  • 待機2.5 µAでスリープ損失低減
  • 待機最大7 µAで電力予算が容易
  • CE電源断で消費電力を削減
  • 保持1.5 Vでバックアップ時も保持
  • 保持最大8.8 µAで小電池に有利
  • バイト制御で書込み電力を低減
  • 3ステートでバス共有を簡素化

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ