CY62146EV30LL-45BVXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62146EV30LL-45BVXIT

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62146EV30LL-45BVXIT
CY62146EV30LL-45BVXIT
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY62146EV30LL-45BVXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TH
ウェハ製造国
TW,US
個.
在庫あり
The CY62146EV30LL-45BVXIT is a 4-Mbit (256K × 16) CMOS SRAM for battery-powered systems, offering 45 ns access with a 2.2 V to 3.6 V supply over −40°C to +85°C. It supports automatic power-down when CE is inactive, with 2.5 µA typical (7 µA max) standby at VCC = 3.6 V, and 3.5 mA typical active current at 1 MHz. Byte enables (BHE/BLE) support 8-bit writes and reads. 48-ball Pb-free VFBGA.

特長

  • 256K × 16 CMOS SRAM organization
  • 45 ns read/write cycle time
  • 22 ns OE to data valid (tDOE)
  • 2.2 V to 3.6 V VCC operation
  • 3.5 mA typ ICC at 1 MHz
  • 2.5 µA typ standby (ISB)
  • 7 µA max standby (ISB)
  • Auto power-down when CE HIGH
  • 1.5 V data retention supply (VDR)
  • 8.8 µA max retention current
  • Byte write via BHE/BLE enables
  • Outputs tri-state on deselect/OE

利点

  • 16-bit SRAM fits MCU data buses
  • 45 ns access supports fast code/data
  • 22 ns OE speeds read turnaround
  • 2.2–3.6 V works with 3 V rails
  • 3.5 mA active extends battery life
  • 2.5 µA standby cuts sleep drain
  • 7 µA max standby eases power budget
  • CE-based power-down saves energy
  • 1.5 V retention keeps data in backup
  • 8.8 µA retention enables small cell
  • Byte enables reduce write power
  • Tri-state outputs simplify bus sharing

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ