BSZ010NE2LS5

BSZ010NE2LS5

Increased efficiency with best-in-class OptiMOS™ 5 25 V power MOSFET in high performance PQFN 3.3x3.3mm package

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BSZ010NE2LS5
BSZ010NE2LS5


製品仕様情報

  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    212 A
  • ID (@25°C) (最大)
    212 A
  • IDpuls (最大)
    848 A
  • Ptot (最大)
    69 W
  • QG (typ @10V)
    44.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    21 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.3 mΩ
  • Special Features
    ORing/Efuse
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V~2 V
  • VGS(th)
    1.52 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.84
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~150 °C
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s OptiMOS™ 5 25V power MOSFET BSZ010NE2LS5 is the best choice for optimized efficiency and power density solutions such as synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). A significantly reduced RDS(on) compared to the previous OptiMOS™ MOSFET products enables an increase of the system efficiency. The small footprint of the PQFN 3.3x3.3 mm package combined with outstanding electrical performance further enhances best-in-class power density and form factor improvement in the target applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ