AUIRF7640S2
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

AUIRF7640S2

60 V, N-Ch, 36 mΩ max, Automotive MOSFET, DirectFET SB, Gen 10.7
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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AUIRF7640S2
AUIRF7640S2
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2027
  • ID (@25°C) (最大)
    21 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.4 W
  • Ptot (最大)
    30 W
  • Qgd
    3 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    11 nC
  • QG (typ @10V)
    7.3 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    36 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    MG-WDSON-4
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Gen 10.7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2016
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AUIRF7640S2TR
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON
パッケージ名 DIRECTFET
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • Advanced Process Technology
  • Low RDS(on) for Improved Efficiency
  • Low Qg for Better THD and Efficiency
  • Low Qrr for Better THD & Lower EMI
  • Low Parasitic Inductance
  • Dual Sided Cooling
  • 175°C Operating Temperature
  • Lead free, RoHS and Halogen free
  • Automotive Qualified
  • PPAP Capable Device

利点

  • Optimized for Class D Audio Amplifier
  • High Speed Switching Applications
  • Up to 100W per Channel into 8Ω Load
  • Repetitive Avalanche Capability
  • Reduced Ringing & Lower EMI

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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