5962R2321302VXC
Active and preferred
RoHS対応

5962R2321302VXC

Infineon’s radiation hardened 1 Mb non-volatile Ferroelectric RAM (F-RAM) memory offers the utmost reliability and performance for extreme environments.
データシート
パッケージ

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5962R2321302VXC
5962R2321302VXC
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • デバイスの重量
    1716.9 mg
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    F-RAM
  • メモリ容量
    1 MBit
  • リードボール仕上げ
    Au
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128K x 8
  • 認定
    Military

推奨
OPN
5962R2321302VXCBDSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
CG-FP-44
パッケージ名 CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
CG-FP-44
パッケージ名 CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Our rad hard F-RAM is one of the industry’s lowest power, non-volatile memory solutions that is Single Event Upset (SEU) immune and virtually unlimited endurance. Infineon’s instant non-volatile write technology and greater than 100-year data retention provides the highest reliability for space applications.

特長

  • 1 Mb density (128K x 8)
  • 10-trillon read/write cycle endurance
  • 120 years data retention at +85°C
  • Extremely low programming voltage (2V)
  • Low operating current (20 mA max)
  • DLAM QML-V qualified SMD 5962-23213 (1 and 2Mb F-RAM)
  • Radiation performance:
  • TID: > 150 Krad (Si)
  •  SEL: > 96 MeV.cm2/mg [LET]@ 115°C
  • SEU: IMMUNE
  • SEFI: 5.35e-5 err/dev.day (standby mode)
  • SEFI: IMMUNE (sleep mode)

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ