1EDN7126G
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

1EDN7126G

EiceDRIVER™ 200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs
データシート
パッケージ
ボード
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在庫あり

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1EDN7126G
1EDN7126G
個.
データシート


製品仕様情報

  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • パッケージ
    PG-VSON-10
  • 伝搬遅延オフ
    75 ns
  • 伝搬遅延オン
    75 ns
  • 出力電流
    1.5 A
  • 出力電流 (Sink)
    1.5 A
  • 出力電流 (Source)
    1.5 A
  • 絶縁方式
    Non-isolated
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    200 V

推奨
OPN
1EDN7126GXTMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-VSON-10
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VSON-10
パッケージ名 -
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The EiceDRIVER™ 1EDN7126G is a single-channel gate-driver IC optimized for driving Infineon CoolGaN™ Schottky gate (SG) HEMTs, as well as other GaN SG HEMTs and Si MOSFETs. This gate driver includes several key features that enable a high-performance system design with fast-switching transistors, including Truly Differential Input (TDI), 1.5 A peak source and sink current, active Miller clamp, adjustable charge pump, and bootstrap voltage clamp.

特長

  • 200Wx2, 4Ω into 10% THD+N
  • heatsink-less operation at 2x100W
  • 95% efficiency at 2x200W at 4Ω
  • Split or single power supply
  • Differential or single-ended input
  • 2xSE, BTL, PSE (parallel SE)
  • OCP, OTP, and UVLO with reset
  • Start/stop click noise reduction
  • Clip and fault reporting outputs

アプリケーション

ヘルスケア
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ