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概要

650V TRENCHSTOP™ F5ディスクリートIGBTファミリーは、現在主流のソリューションと比較してスイッチング損失が大幅に低く、IGBT・MOSFET の橋渡しの役割を持ちます。ターゲットトポロジーは、ブースト段、PFC (AC/DC) 段、高電圧DC/DC トポロジーです。

主な機能
  • 低スイッチング損失
  • 650 V のブレークスルー電圧
  • Vfの温度安定性
  • 低いCOES/EOSS
アプリケーション
電力変換
無停電電源装置 (UPS)

製品

概要

TRENCHSTOP™ 5 F5について

650 V TRENCHSTOP™ F5ファミリーは、SiC ダイオードと組み合わせた低インダクタンス設計を対象としており、650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 ファミリーと比較して 1 % 高い効率を提供します。F5ファミリーの製品には、より高度な設計が必要ですが、成果は高くなります。

主な機能

この製品ファミリーは、耐圧650Vでクラス最高のHighSpeed 3ファミリーと比較して、Qg 係数が2.5低く、スイッチング損失を半減し、VCE(sat) を200 mV 低減するなど、多くの特別な機能を提供します。さらに、製品はインフィニオンのRapid Si ダイオード技術と共同パックされており、COES / EOSSが低く、穏やかな正の温度係数VCE(sat) を持ち、Vf の温度安定性を提供します。

主な利点

TRENCHSTOP™ 5 F5製品の利点は、クラス最高の効率により、ジャンクション温度とケース温度が低くなり、デバイスの信頼性が向上し、信頼性を損なうことなくバス電圧が50V 上昇し、電力密度が高く魅力的な設計が得られることです。

TRENCHSTOP™ 5 F5について

650 V TRENCHSTOP™ F5ファミリーは、SiC ダイオードと組み合わせた低インダクタンス設計を対象としており、650 V TRENCHSTOP™ 5 H5 ファミリーと比較して 1 % 高い効率を提供します。F5ファミリーの製品には、より高度な設計が必要ですが、成果は高くなります。

主な機能

この製品ファミリーは、耐圧650Vでクラス最高のHighSpeed 3ファミリーと比較して、Qg 係数が2.5低く、スイッチング損失を半減し、VCE(sat) を200 mV 低減するなど、多くの特別な機能を提供します。さらに、製品はインフィニオンのRapid Si ダイオード技術と共同パックされており、COES / EOSSが低く、穏やかな正の温度係数VCE(sat) を持ち、Vf の温度安定性を提供します。

主な利点

TRENCHSTOP™ 5 F5製品の利点は、クラス最高の効率により、ジャンクション温度とケース温度が低くなり、デバイスの信頼性が向上し、信頼性を損なうことなくバス電圧が50V 上昇し、電力密度が高く魅力的な設計が得られることです。

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