AI データセンターでは、増え続ける電力需要により、電源ユニット (PSU) 設計の急速な進化に迫られているため、800 W から驚異的な 12 kW への拡大、3 相設計へ移行が予測されています。さらに、システム効率要件は97.5%以上に上昇しており、パッケージサイズの制限を満たすため電力密度はますます高くなる (100 W/in³など) と同時に、厳格なホールドアップ時間要件を維持されます。

インフィニオンのアプリケーションとシステムの専門知識と、データセンター事業者や電源メーカーからの意見を組み合わせることで、リファレンス ボードの完全なロードマップが完成しました。インフィニオンは、高性能SiC (炭化ケイ素) MOSFET(CoolSiC™)、窒化ガリウムトランジスタ (CoolGaN™)、シリコンMOSFET (CoolMOS™) を搭載したパワー半導体のリーダーとして、自社技術の利点をPSUに活用し、ACからDCまでの性能を最大化し、要求以上の効率と電力密度を実現しています。

インフィニオンのAI SMPS向け製品ポートフォリオの詳細

インタラクティブなブロック図は、 こちらからご覧いただくか、最新の ウェビナー をオンデマンドでご覧ください。

AI-PSUボードの進化
AI-PSUボードの進化
AI-PSUボードの進化
  • Open Compute V3整流器仕様を対象とした完全な電源装置
  • ピーク効率97.5%
  • CoolSiC™搭載ブリッジレストーテムポールPFC
  • CoolMOS™とOptiMOS™によるハーフブリッジLLC
  • XMC™ マイクロコントローラーによるフルデジタル制御
  • Open Compute V3整流器 (PSU) のサイズ (全体寸法)
  • 全負荷時の出力保持時間は20 ms
  • EMC class Bの適合試験済み
  • 評価ボードとして提供
  • CoolSiC™ MOSFET 650 V
  • 600 V CoolMOS™ SJ MOSFET C7
  • 600 V CoolMOS™ SJ MOSFET CFD7
  • OptiMOS™ 5パワーMOSFET 80V
  • EiceDRIVER™、1チャネルおよび2チャネルドライバ
  • 800V CoolMOS™を内蔵したCoolSET™フライバックコントローラー
  • XMC™産業用マイクロコントローラー
  • DC-DC降圧型レギュレーター
  • 中出力ショットキーダイオード
  • ベンチマーク効率 97.5% @ 95 W/in³ (all/1U フォームファクターを含む)
  • CoolSiC™、CoolGaN™、CoolMOS™、OptiMOS™などの技術で最高の効率と電力密度を実現するテクノロジー
  • 新しい統合埋め込み平面磁気構造
  • フルデジタル制御 (PFCおよびDC-DC)
  • トーテムポールPFC+ハーフブリッジGaN LLC
  • PFC + DC-DCを含む完全な電源ユニット (PSU)
  • 出力保持時間延長回路
  • リファレンスボードとして提供
  • CoolSiC™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN™ トランジスター 650 V
  • 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET
  • CoolSiC™ ショットキーダイオード G5 650 V
  • EiceDRIVER™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • OptiMOS™ 5 MOSFET 80 V
  • 800 V CoolMOS™を内蔵したCoolSET™フライバックコントローラー
  • ISOFACE™デジタルアイソレータ
  • XMC™産業用マイクロコントローラー
  • フルデジタル制御 インターリーブ方式ブリッジレス トーテムポール PFC + フルブリッジGaN LLC
  • ベンチマーク効率97.5% (最適化設計により、放熱にかかる手間を削減)
  • 高電力密度 100 W/in³ (ORv3仕様の2倍)
  • GaNトランジスタにより高電圧LLCで最高周波数を実現
  • 単相 PFC + DCDC を含む完全な電源ユニット (PSU)
  • ハイブリッドなスイッチアプローチによる優れたシステム性能 – Si、SiC、GaN
  • 高いレベルの効率と電力密度
  • サーバー用の ORv3準拠のフォーム ファクター
  • コンデンサー数および体積を削減することで、さらに高い信頼性と小型化されたシステムサイズを実現
  • リファレンスボードとして提供
  • CoolSiC™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN™ トランジスター 650 V G5
  • 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET
  • OptiMOS™ 5パワーMOSFET 80V
  • OptiMOS™ 5 パワーMOSFET 60V
  • EiceDRIVER™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • 800 V CoolMOS™搭載CoolSET™フライバック コントローラー
  • OPTIREG™スイッチ
  • ISOFACE™デジタルアイソレーター
  • フルデジタル制御インターリーブブリッジレス トーテムポールPFC + フルブリッジGaN LLC
  • ピーク効率97.5%を超えるベンチマーク値 (最適化設計により、放熱にかかる手間を削減)
  • AC230 V、100%の出力負荷で96.5%の効率
  • 40 x 68 x 640 mm (シャーシを含む)
  • 高電力密度 113 W/in3
  • 単相 PFC + DCDC を含む完全な電源ユニット (PSU)
  • ハイブリッド スイッチ アプローチによる優れたシステム性能 – Si、SiC、GaN
  • 高いレベルの効率と電力密度
  • サーバー用の19インチラック フォームファクター
  • コンデンサー数および体積を削減することで、さらに高い信頼性と小型化されたシステムサイズを実現し、エネルギーバッファ回路を展開します。
  • リファレンスボードとして提供
  • CoolSiC™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN™ トランジスター 650 V G5
  • 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET
  • CoolGaN™トランジスタ100 V
  • OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 100 V
  • EiceDRIVER™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • OPTIREG™スイッチ
  • 800 V CoolMOS™搭載CoolSET™フライバック コントローラー

  • Open Compute V3整流器仕様を対象とした完全な電源装置
  • ピーク効率97.5%
  • CoolSiC™搭載ブリッジレストーテムポールPFC
  • CoolMOS™とOptiMOS™によるハーフブリッジLLC
  • XMC™ マイクロコントローラーによるフルデジタル制御
  • Open Compute V3整流器 (PSU) のサイズ (全体寸法)
  • 全負荷時の出力保持時間は20 ms
  • EMC class Bの適合試験済み
  • 評価ボードとして提供
  • CoolSiC™ MOSFET 650 V
  • 600 V CoolMOS™ SJ MOSFET C7
  • 600 V CoolMOS™ SJ MOSFET CFD7
  • OptiMOS™ 5パワーMOSFET 80V
  • EiceDRIVER™、1チャネルおよび2チャネルドライバ
  • 800V CoolMOS™を内蔵したCoolSET™フライバックコントローラー
  • XMC™産業用マイクロコントローラー
  • DC-DC降圧型レギュレーター
  • 中出力ショットキーダイオード

  • ベンチマーク効率 97.5% @ 95 W/in³ (all/1U フォームファクターを含む)
  • CoolSiC™、CoolGaN™、CoolMOS™、OptiMOS™などの技術で最高の効率と電力密度を実現するテクノロジー
  • 新しい統合埋め込み平面磁気構造
  • フルデジタル制御 (PFCおよびDC-DC)
  • トーテムポールPFC+ハーフブリッジGaN LLC
  • PFC + DC-DCを含む完全な電源ユニット (PSU)
  • 出力保持時間延長回路
  • リファレンスボードとして提供
  • CoolSiC™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN™ トランジスター 650 V
  • 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET
  • CoolSiC™ ショットキーダイオード G5 650 V
  • EiceDRIVER™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • OptiMOS™ 5 MOSFET 80 V
  • 800 V CoolMOS™を内蔵したCoolSET™フライバックコントローラー
  • ISOFACE™デジタルアイソレータ
  • XMC™産業用マイクロコントローラー

  • フルデジタル制御 インターリーブ方式ブリッジレス トーテムポール PFC + フルブリッジGaN LLC
  • ベンチマーク効率97.5% (最適化設計により、放熱にかかる手間を削減)
  • 高電力密度 100 W/in³ (ORv3仕様の2倍)
  • GaNトランジスタにより高電圧LLCで最高周波数を実現
  • 単相 PFC + DCDC を含む完全な電源ユニット (PSU)
  • ハイブリッドなスイッチアプローチによる優れたシステム性能 – Si、SiC、GaN
  • 高いレベルの効率と電力密度
  • サーバー用の ORv3準拠のフォーム ファクター
  • コンデンサー数および体積を削減することで、さらに高い信頼性と小型化されたシステムサイズを実現
  • リファレンスボードとして提供
  • CoolSiC™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN™ トランジスター 650 V G5
  • 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET
  • OptiMOS™ 5パワーMOSFET 80V
  • OptiMOS™ 5 パワーMOSFET 60V
  • EiceDRIVER™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • 800 V CoolMOS™搭載CoolSET™フライバック コントローラー
  • OPTIREG™スイッチ
  • ISOFACE™デジタルアイソレーター

  • フルデジタル制御インターリーブブリッジレス トーテムポールPFC + フルブリッジGaN LLC
  • ピーク効率97.5%を超えるベンチマーク値 (最適化設計により、放熱にかかる手間を削減)
  • AC230 V、100%の出力負荷で96.5%の効率
  • 40 x 68 x 640 mm (シャーシを含む)
  • 高電力密度 113 W/in3
  • 単相 PFC + DCDC を含む完全な電源ユニット (PSU)
  • ハイブリッド スイッチ アプローチによる優れたシステム性能 – Si、SiC、GaN
  • 高いレベルの効率と電力密度
  • サーバー用の19インチラック フォームファクター
  • コンデンサー数および体積を削減することで、さらに高い信頼性と小型化されたシステムサイズを実現し、エネルギーバッファ回路を展開します。
  • リファレンスボードとして提供
  • CoolSiC™ MOSFET 650 V
  • CoolGaN™ トランジスター 650 V G5
  • 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET
  • CoolGaN™トランジスタ100 V
  • OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 100 V
  • EiceDRIVER™ 1EDB、1EDN、2EDB
  • OPTIREG™スイッチ
  • 800 V CoolMOS™搭載CoolSET™フライバック コントローラー