IRFH8201
アクティブ
RoHS対応

IRFH8201

25V Single N-Channel Power MOSFET in a PQFN 5x6 package
データシート
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFH8201
IRFH8201
個.
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    324 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    3.6 W
  • Ptot (最大)
    156 W
  • Qgd
    18 nC
  • QG (typ @4.5V)
    56 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.95 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.6 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.8 K/W
  • Special Features
    Logic Level
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V～2.35 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.64
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

推奨
OPN
IRFH8201TRPBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
MY
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
MY
個.
在庫あり
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard surface-mount package
  • Silicon optimized for switching <100kHz

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout, drop-in replace
  • High performance, low-frequency
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ