IR2109
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IR2109

600 V half-bridge gate driver IC with shutdown
データシート
パッケージ

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IR2109
IR2109
データシート


製品仕様情報

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.9 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • コンフィギュレーション
    Half-Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    200 ns
  • 伝搬遅延オン
    750 ns
  • 入力 Vcc 範囲
    10 V～20 V
  • 出力電流 (Sink)
    0.35 A
  • 出力電流 (Source)
    0.2 A
  • 絶縁方式
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    600 V

OPN
IR2109PBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PDIP8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PDIP8
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
600 V Half Bridge Driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead SOIC, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.For the new version with our SOI technology we recommend 2ED2109S06F , providing integrated bootstrap diode, better robustness and higher switching frequency

特長

  • Floating channel for bootstrap op.
  • Fully operational to +600 V
  • Tolerant to neg. transient volt.
  • dV/dt immune
  • Gate drive supply: 10 V to 20 V
  • Undervol. lockout for both channels
  • 3.3, 5 & 15 V input logic compatib.
  • Cross-conduction prevention logic
  • Matched prop. delay for both chan.
  • High side out. in phase with IN in.
  • Logic & power ground +/- 5 V offset
  • Internal 540ns dead-time

アプリケーション

図

Circuit_Diagramm_IR2109
Circuit_Diagramm_IR2109
Circuit_Diagramm_IR2109 Circuit_Diagramm_IR2109 Circuit_Diagramm_IR2109
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