IPTC026N12NM6
Active and preferred
RoHS対応

IPTC026N12NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET normal level 120 V in TOLT package
データシート
パッケージ

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IPTC026N12NM6
IPTC026N12NM6
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    222 A
  • IDpuls (最大)
    888 A
  • Ptot (最大)
    278 W
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.6 mΩ
  • VDS (最大)
    120 V
  • VGS(th) 範囲
    2.6 V～3.6 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • パッケージ
    TOLT (HDSOP-16)
  • 予算価格€/ 1k
    2.71
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

推奨
OPN
IPTC026N12NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
梱包サイズ 1800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
This is a normal level 120 V MOSFET in TOLT packaging with 2.6 mOhm on-resistance. IPTC026N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.

特長

  • Compared to OptiMOS™ the technology features:
  • up to 40% better RDS(on)
  • up to 50% better FOMg
  • up to 50% better Qrr

利点

  • Very low on-resistance
  • Very low reverse recovery charge
  • Excellent gate charge x RDS(on)
  • High avalanche energy rating
  • 175°C junction temperature rating
  • Pb-free plating
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • MSL1 classified

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ