IMSQ120R118M2HH
新規
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMSQ120R118M2HH

新規
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V in top-side cooled Q-DPAK dual half-bridge package
データシート
パッケージ

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IMSQ120R118M2HH
IMSQ120R118M2HH
データシート


製品仕様情報


推奨
OPN
IMSQ120R118M2HHXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
MY

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 -
梱包サイズ 750
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 2
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
MY
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 116 mΩ G2 in a top-side cooled Q-DPAK dual half-bridge package, optimized for industrial applications such as EV charging, string inverters, and power supplies. The Q-DPAK enables lower system cost through simplified assembly and excellent thermal performance. Top-side cooled dual half-bridge design delivers improved cooling, higher energy efficiency, greater design flexibility, and enhanced overall performance.

特長

  • VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
  • IDDC = 16 A at TC = 100°C
  • RDS = 116 mΩ, VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • Very low switching losses
  • Overload operation up to Tvj = 200°C
  • Short circuit withstand time 2 µs
  • Benchmark gate threshold voltage 4.2 V
  • Robust against parasitic turn on
  • Robust body diode for hard commutation
  • .XT interconnection technology

利点

  • Higher power density
  • Enabling automated assembly
  • Less complex designs needed
  • Outstanding thermal performance vs BSC
  • Improve system power losses
  • Enable a VRMS of 950 V with PD 2
  • Lower BOM cost
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ