IGB30N60H3
新規設計非推奨
RoHS対応

IGB30N60H3

600 V, 30 A IGBT3 in TO263 D2Pak package
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IGB30N60H3
IGB30N60H3
データシート


製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.44 mJ
  • Eon
    0.73 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    30 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    60 A
  • ICpuls (最大)
    120 A
  • Ptot (最大)
    187 W
  • QGate
    165 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10.5 Ω
  • td(off)
    207 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    22 ns
  • tr
    22 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.95 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • スイッチング周波数
    HighSpeed3 20-100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    20 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3

OPN
IGB30N60H3ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
DE,MY

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
DE,MY
High speed 600 V , 30 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

特長

  • Low switching losses
  • Excellent Vce(sat)behavior
  • Fast switching behavior
  • Low EMI emissions
  • Optimized diode for:
  • Improvement in switching losses
  • Low gate resistor select. possible
  • Excellent switch.behavior (@>5 Ω)
  • Short circuit capability 5µs
  • Offering Tj(max)of 175°C
  • Packaged with & without free. diode
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ