IDC52D120Y8A
新規
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IDC52D120Y8A

新規
インフィニオンの最先端Si IGBT技術のパワーを解き放つ
データシート

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IDC52D120Y8A
IDC52D120Y8A
データシート

製品仕様情報

  • IFn
    230 A
  • VRRM
    1200 V
  • 技術
    EDT3
推奨
OPN
IDC52D120Y8AX7SA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
最新のEDT3デバイスは、1200 Vクラスに対応し、低コストかつ高性能な車両のメイン インバーター用途向けに、前例のない出力電流を実現します。特定のアプリケーション要件に合わせたカスタム パワー モジュールを設計および製造できるインフィニオンのSi IGBT & Diodeソリューションは、自動車市場を変革し、性能、効率、信頼性を新たな水準へ引き上げます。

特長

  • 1200 V対応エミッター制御ダイオード技術
  • ソフトかつ高速なスイッチング
  • 低リカバリ電荷
  • 低温度係数
  • 最大接合部温度: 185 ℃
  • ドロップイン置換
  • シンプルなゲートドライブ設計

利点

  • 車載要件に最適
  • カスタマイズ開発 (要望に応じて)
  • 最大25%高い出力電流密度
  • 損失低減と最大Tvjの向上
  • モジュール小型化によるコストメリット
  • システムレベルでアンペア(A)あたりのコストが低減
  • 並列化の工数とコストを削減
  • 高い信頼性と品質
  • ドロップイン置換
  • シンプルなゲートドライブ設計

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ