CY7C1471BV33-133BZI
Active and preferred

CY7C1471BV33-133BZI

パッケージ

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CY7C1471BV33-133BZI
CY7C1471BV33-133BZI

製品仕様情報

  • Density
    72 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    NoBL, Flow-through
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    NoBL
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度 範囲
    0 °C～70 °C
  • 動作電圧 範囲
    3.14 V～3.63 V
  • 周波数
    133 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 36
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY7C1471BV33-133BZI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
P -BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85165)
梱包サイズ 525
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
P -BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85165)
梱包サイズ 525
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1471BV33-133BZIは72-Mbit同期フロースルー・バーストSRAM（2M × 36）で、NoBLアーキテクチャにより書き込みから読み出しへのデッドサイクルを排除します。133 MHz動作に対応し、クロックからデータ有効tCDVは6.5 ns、入力はレジスタ化され、読出し/書込み/デセレクトはパイプライン動作です。最大4ワードのリニア/インターリーブ・バースト、BWXバイト書込み、3つのチップイネーブル+OE、ZZスリープを備えます。

特長

  • 72-Mbit同期バーストSRAM
  • NoBLでデッドサイクルなし
  • 最大133 MHz、7.5 ns周期
  • 毎クロックでデータ転送
  • 6.5 ns CLK-出力(tCDV)
  • 同期入力をレジスタ化
  • BWX+WEでバイト書込み
  • リニア/インタリーブバースト
  • 3チップイネーブル(CE1/2/3)
  • 非同期OEで3ステート制御
  • ZZ/CEで自動パワーダウン
  • IEEE 1149.1 JTAG境界スキャン

利点

  • 連続R/Wでスループット向上
  • ゼロウェイトでバス停止低減
  • 133 MHzで高速処理に対応
  • 毎クロック転送で帯域向上
  • 6.5 ns tCDVで読出し遅延低減
  • 入力レジスタでタイミング容易
  • バイト書込みで無駄な書込み低減
  • バーストがCPU/DSPに適合
  • 3CEで拡張が簡単
  • OE 3ステでバス共有容易
  • パワーダウンで待機電力低減
  • JTAGで基板テスト/デバッグ短縮

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ