5962F1123501VXC
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

5962F1123501VXC

データシート
パッケージ

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5962F1123501VXC
5962F1123501VXC
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • デバイスの重量
    3878.7 mg
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Au
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    3 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    3 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Military
  • 速度
    12 ns
推奨
OPN
5962F1123501VXC
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
インフィニオンの特許取得済みRADSTOP™テクノロジーで設計されたインフィニオンのFAST 4Mビット非同期スタティックRAMは、宇宙やその他の過酷な環境でのアプリケーションに最適です。4MビットFAST SRAMは、512 Kワード x 8ビットで構成される高性能、低消費電力のSRAMです。

特長

  • 512 Kbit x8バス幅構成
  • 12 ns (125°C) のアクセス時間
  • 動作電圧 3.3 V
  • 55°C～+125°Cの軍用温度グレード
  • ビットインターリーブでマルチビットエラーを排除
  • 低いアクティブ電力
  • 低いCMOS待機電力
  • 2.0 Vデータ保持
  • 選択解除時に自動電源オフ
  • 36ピン セラミック フラット パック (CFP)
  • MIL-PRF 38535準拠
  • QML-V認定

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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