Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

5962F1123501VXC

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

5962F1123501VXC
5962F1123501VXC
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • デバイスの重量
    3878.7 mg
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Au
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    3 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V to 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Military
  • 速度
    12 ns
推奨
OPN
5962F1123501VXC
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
CG-FP-36
パッケージ名 FLATPACK-36 (001-67583)
包装サイズ 1
包装形態 CONTAINER
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
インフィニオンの特許取得済みRADSTOP™テクノロジーで設計されたインフィニオンのFAST 4Mビット非同期スタティックRAMは、宇宙やその他の過酷な環境でのアプリケーションに最適です。4MビットFAST SRAMは、512 Kワード x 8ビットで構成される高性能、低消費電力のSRAMです。

機能

  • 512 Kbit x8バス幅構成
  • 12 ns (125°C) のアクセス時間
  • 動作電圧 3.3 V
  • 55°C～+125°Cの軍用温度グレード
  • ビットインターリーブでマルチビットエラーを排除
  • 低いアクティブ電力
  • 低いCMOS待機電力
  • 2.0 Vデータ保持
  • 選択解除時に自動電源オフ
  • 36ピン セラミック フラット パック (CFP)
  • MIL-PRF 38535準拠
  • QML-V認定

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }