2EDL5012AA-U2D
新規
近日公開
RoHS対応
鉛フリー

2EDL5012AA-U2D

新規
2EDL5012AA-U2Dは、GaNトランジスタおよびロジックレベルMOSFETを駆動するように設計された120 Vハーフブリッジ ゲートドライバです。
データシート

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2EDL5012AA-U2D
2EDL5012AA-U2D
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製品仕様情報

  • Iout 範囲
    1.5 A～4 A
  • トポロジー
    High & Low Side Driver
  • パッケージ
    PG-TSNP-12-6, 2 x 2 mm
  • 入力電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 出力数
    2
  • 出力電圧 範囲
    0 V～5.5 V
  • 認定
    Industrial
OPN
2EDL5012AAU2DXTMA1
製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ PG-TSNP-12
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス coming soon
インフィニオン パッケージ PG-TSNP-12
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
2EDL5012AA-U2Dは、同期バックまたはハーフブリッジ構成において、ハイサイドおよびローサイドのエンハンスメントモードGaNトランジスタ、ならびにロジックレベルMOSFETを駆動するように設計されたハーフブリッジ ゲートドライバです。 2EDL5012AA-U2Dは、1.5 A (ピーク) ～4 A (ピーク) の異なる出力電流能力を備えており、TSNP-12 (12ピン、2 mm × 2 mm) パッケージで提供されます。

特長

  • 独立した2系統の入力
  • ハイサイド/ローサイド両ドライバ向けUVLO
  • ブートストラップ スイッチ内蔵
  • アクティブ ブートストラップ スイッチ
  • 最大ブートストラップ電圧: 120 V
  • 出力強度向上のための分割出力
  • 4 A/4 A、1.5 A/4 A、1.5 A/1.5 A
  • アクティブ ミラー クランプ内蔵
  • 伝搬遅延: 標準20 ns
  • 伝搬遅延マッチング: 標準1 ns
  • 電源電圧範囲: 4.5 V～5.5 V
  • TSNP-12 2×2パッケージで提供

利点

  • 幅広い電源トポロジーに対応
  • コンパクトで熱的に優れたソリューション
  • 高出力アプリケーションに適しています
  • 多くのお客様の要件に柔軟に対応
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ