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600 V CoolMOS™ 8

600V CoolMOS™ 7ファミリーの長所を組み合わせた高電圧スーパージャンクションMOSFETファミリー

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概要

インフィニオンの600 Vの最新CoolMOS™ 8は、世界の高電圧スーパージャンクションMOSFET技術をリードしており、世界規模で技術と価格性能の両方の標準を打ち立てています。このシリーズは高速ボディダイオードを内蔵しており、幅広いアプリケーションに適しています。インフィニオンのWBG製品を強化し、P7、S7、CFD7、C7、G7、PFD7を含む600 V CoolMOS™ 7 MOSFETファミリーの後継製品です。

主な機能

  • ハードスイッチングとソフトスイッチングに適合
  • スイッチング損失と導通損失の低減
  • 超低RDS(on)*A
  • 高電力密度
  • 熱管理の簡素化
  • ESD保護の向上

製品

概要

600 V CoolMOS™ 8 高耐圧スーパージャンクションMOSFETファミリー

600 V CoolMOS™ 8は、インフィニオンの最新高耐圧スーパージャンクション (SJ) MOSFETテクノロジーです。 本製品は、幅広いアプリケーションを対象とした高速ボディダイオードを内蔵しています。 低電力SMPSから、サーバー、テレコム、ソリッドステートサーキットブレーカー、ソリッドステートリレー、EV充電ステーションなどの最高レベルの電力レベルまで多岐にわたります。

既存の600 V CoolMOS™ 7シリーズ製品に対する改善

CoolMOS™ 8は、ゲート電荷(Qg)がCFD7に比べて20%減少し、ターンオフ損失(Eoss)の低減がCFD7に比べてさらに15%向上し、逆回復電荷(Qrr)がCFD7と比較して10%減少し、逆回復時間(trr)が市場で最も短いのが特徴です。

CoolMOS™ 8は、トップサイドクーリングパッケージも備えています。

高電圧MOSFET上面冷却パックのご紹介
アプリケーションの使用状況

CoolMOS™ 8デバイスは、LLCやZVS位相シフトフルブリッジなどのソフトスイッチングトポロジーにおいて、最高の効率とクラス最高の(BiC)信頼性を提供します。さらに、PFC、TTF、およびその他のハードスイッチングトポロジで優れたレベルの性能を提供します。

さらに、CoolMOS™ 8は、最適化されたRDS(on) により、BiC製品を7mΩの1桁に抑え、コスト効率の高いSiベースのソリューションを可能にし、ワイドバンドギャップ(WBG)製品を補完する、より高い電力密度を実現します。

ワイドバンドギャップ(WBG)製品を見る

600 V CoolMOS™ 8 高耐圧スーパージャンクションMOSFETファミリー

600 V CoolMOS™ 8は、インフィニオンの最新高耐圧スーパージャンクション (SJ) MOSFETテクノロジーです。 本製品は、幅広いアプリケーションを対象とした高速ボディダイオードを内蔵しています。 低電力SMPSから、サーバー、テレコム、ソリッドステートサーキットブレーカー、ソリッドステートリレー、EV充電ステーションなどの最高レベルの電力レベルまで多岐にわたります。

既存の600 V CoolMOS™ 7シリーズ製品に対する改善

CoolMOS™ 8は、ゲート電荷(Qg)がCFD7に比べて20%減少し、ターンオフ損失(Eoss)の低減がCFD7に比べてさらに15%向上し、逆回復電荷(Qrr)がCFD7と比較して10%減少し、逆回復時間(trr)が市場で最も短いのが特徴です。

CoolMOS™ 8は、トップサイドクーリングパッケージも備えています。

高電圧MOSFET上面冷却パックのご紹介

アプリケーションの使用状況

CoolMOS™ 8デバイスは、LLCやZVS位相シフトフルブリッジなどのソフトスイッチングトポロジーにおいて、最高の効率とクラス最高の(BiC)信頼性を提供します。さらに、PFC、TTF、およびその他のハードスイッチングトポロジで優れたレベルの性能を提供します。

さらに、CoolMOS™ 8は、最適化されたRDS(on) により、BiC製品を7mΩの1桁に抑え、コスト効率の高いSiベースのソリューションを可能にし、ワイドバンドギャップ(WBG)製品を補完する、より高い電力密度を実現します。

ワイドバンドギャップ(WBG)製品を見る

ドキュメント

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

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