脱炭素化を実現するためには、配電システムのデジタル化と従来の電気機械式技術からソリッドステート サーキット ブレーカー(SSCB)への置き換えが不可欠です。

インフィニオンのCoolSiC™ JFET技術は、次世代システムにおける要求内容を考慮して開発されました。シリコンカーバイド(SiC)の利点、斬新なパッケージ、先進的なチップ設計が一つになったCoolSiC™ JFETは、最も過酷な動作環境下においても他に例をみないほど高いシステム効率、堅牢性、信頼性を実現します。

これらの機能を組み合わせることで、システム統合、製造、拡張性が合理化され、ソリッドステート配電システムにおける商業的実行可能性の新たなベンチマークが設定されます。

インフィニオンのCoolSiC™ JFET技術は、電力ソリューションの効率性と持続可能性を最大限に引き出し、より環境に優しい未来の実現に大きく貢献します。

CoolSiC™ JFET分解図
CoolSiC™ JFET分解図
CoolSiC™ JFET分解図

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