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概要

600 V/1200V の高速IGBT は、さまざまなトポロジーのスイッチング速度制限を破ります。

主な機能
  • 低スイッチング損失
  • 高効率
  • 短絡耐量
  • 最大ジャンクション温度 Tj(max) = 175 °C
アプリケーション
オンラインUPS
太陽光発電

製品

概要

HighSpeed3 H3 IGBT の紹介

このファミリーの主な特長は非常に短いテール電流と低いターンオフ損失 (最も近い競合製品より25% 少ない)であり、このファミリーを設計に実装することで最大15% の効率向上を達成できます。このファミリーは、スイッチング損失が非常に低いだけでなく、導通損失も非常に低くなっています。これは、本質的に非常に低いVce (sat) 動作を持つ世界的に有名なTRENCHSTOP™ テクノロジーによるものです。一方、デュオパックのフリーホイールダイオードは、高レベルの柔らかさを維持しながら高速回復のために最適化されています。これにより、優れた補完的な高速スイッチング性能、堅牢性、およびEMI 動作が得られます。HighSpeed3 H3 IGBTと組み合わせることで、市場で最高のデバイスを手に入れることができます。

当社の HighSpeed3 H3 IGBT は、スイッチング損失と効率の点でベンチマーク性能を提供する高周波アプリケーション向けに最適化されています。

主な利点

主な利点は、とりわけ、優れたコスト性能、低いスイッチング損失と導通損失、非常に優れたEMI動作、遅延時間と電圧オーバーシュートを低減するための小さなゲート抵抗、パッケージの小型化につながるダイサイズの小型化、クラス最高のIGBT 効率、およびEMI動作です。

主な機能

600 V/1200 V HighSpeed3 H3 IGBT には、高効率のための低スイッチング損失、低EMI 放射による高速スイッチング動作、有名なインフィニオンのTRENCHSTOP™ 技術による優れたVce(sat) 動作、ターゲットアプリケーション向けに最適化されたダイオード、スイッチング損失のさらなる改善、短絡能力、優れたスイッチング動作を維持しながら低ゲート抵抗の選択が可能(最小5 Ω)などの重要な主要機能が組み込まれています。 70 kHz未満の周波数でスイッチングするアプリケーションでプレーナMOSFET を置き換えるように特別に設計されており、設計の自由度を高めるためにフリーホイールダイオードの有無にかかわらずパッケージ化され、最大ジャンクション温度 175 °Cを提供します。

1200 V ディスクリート IGBT - TRENCHSTOP™ IGBT6

HighSpeed3 IGBT テクノロジーは、数年前に市場にリリースされた成熟した IGBT テクノロジーです。最高の効率と最小の消費電力というお客様の要件を満たすため、インフィニオンは新世代の1200V ディスクリートIGBT - TRENCHSTOP™ IGBT6を開発しました。1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 6は、前身の1200 V HighSpeed3 IGBTシリーズの簡単なプラグ&プレイ代替品として開発されました。

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HighSpeed3 H3 IGBT の紹介

このファミリーの主な特長は非常に短いテール電流と低いターンオフ損失 (最も近い競合製品より25% 少ない)であり、このファミリーを設計に実装することで最大15% の効率向上を達成できます。このファミリーは、スイッチング損失が非常に低いだけでなく、導通損失も非常に低くなっています。これは、本質的に非常に低いVce (sat) 動作を持つ世界的に有名なTRENCHSTOP™ テクノロジーによるものです。一方、デュオパックのフリーホイールダイオードは、高レベルの柔らかさを維持しながら高速回復のために最適化されています。これにより、優れた補完的な高速スイッチング性能、堅牢性、およびEMI 動作が得られます。HighSpeed3 H3 IGBTと組み合わせることで、市場で最高のデバイスを手に入れることができます。

当社の HighSpeed3 H3 IGBT は、スイッチング損失と効率の点でベンチマーク性能を提供する高周波アプリケーション向けに最適化されています。

主な利点

主な利点は、とりわけ、優れたコスト性能、低いスイッチング損失と導通損失、非常に優れたEMI動作、遅延時間と電圧オーバーシュートを低減するための小さなゲート抵抗、パッケージの小型化につながるダイサイズの小型化、クラス最高のIGBT 効率、およびEMI動作です。

主な機能

600 V/1200 V HighSpeed3 H3 IGBT には、高効率のための低スイッチング損失、低EMI 放射による高速スイッチング動作、有名なインフィニオンのTRENCHSTOP™ 技術による優れたVce(sat) 動作、ターゲットアプリケーション向けに最適化されたダイオード、スイッチング損失のさらなる改善、短絡能力、優れたスイッチング動作を維持しながら低ゲート抵抗の選択が可能(最小5 Ω)などの重要な主要機能が組み込まれています。 70 kHz未満の周波数でスイッチングするアプリケーションでプレーナMOSFET を置き換えるように特別に設計されており、設計の自由度を高めるためにフリーホイールダイオードの有無にかかわらずパッケージ化され、最大ジャンクション温度 175 °Cを提供します。

1200 V ディスクリート IGBT - TRENCHSTOP™ IGBT6

HighSpeed3 IGBT テクノロジーは、数年前に市場にリリースされた成熟した IGBT テクノロジーです。最高の効率と最小の消費電力というお客様の要件を満たすため、インフィニオンは新世代の1200V ディスクリートIGBT - TRENCHSTOP™ IGBT6を開発しました。1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 6は、前身の1200 V HighSpeed3 IGBTシリーズの簡単なプラグ&プレイ代替品として開発されました。

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