S26KS512SDPBHN020

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S26KS512SDPBHN020

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製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2035
Density

512 MBit
インターフェース

HYPERBUS
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

- / 166
インターフェース帯域幅

333 MByte/s
バス幅

x8
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

KS-S
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
初期アクセス時間

96 ns
動作温度 (範囲)

-40 °C ～ 125 °C
動作電圧 (範囲)

1.7 V ～ 1.95 V
動作電圧

1.8 V
技術

HYPERFLASH
認定

Industrial

	推奨
OPN	S26KS512SDPBHN020
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ	1690
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS準拠	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ	1690
包装形態	TRAY
水分レベル	3
モイスチャーパッキン	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

S26KS512SDPBHN020は512 Mb（64 MB）のHYPERFLASH™ NORメモリで、HYPERBUS™ DDRインターフェースを採用し、1.8 V/166 MHzで最大333 MBps、3.0 V/100 MHzで200 MBpsの読み出しに対応。動作電圧は1.7 V～1.95 Vまたは2.7 V～3.6 V、AEC-Q100 Grade 2（–40°C～+105°C）対応、10万回の書き換え耐久性と20年のデータ保持を実現。ECC、先進のセクタ保護、低スタンバイ電流により自動車・産業用途に最適です。

特長

3.0 V I/O、11本バス信号
1.8 V I/O、12本バス信号
最大333 MBps持続読出スループット
DDR：クロック毎に2回データ転送
8ビットデータバス（DQ[7:0]）
96ns初期ランダムリードアクセス
512バイトプログラムバッファ
ECC：1ビット訂正、2ビット検出
ハードウェアCRC計算
セキュアシリコン領域（1024バイトOTP）
高度なセクタ保護方式
低消費電力モード：スタンバイ25µA、深パワーダウン8µA

利点

高スループットで高速データアクセス
DDRでシステム性能向上
8ビットバスで統合が容易
高速ランダムアクセスで遅延低減
大容量バッファで書込高速化
ECCでデータ信頼性確保
CRCでエラー迅速検出
セキュア領域で重要データ保護
柔軟なセクタ保護で安全性向上
低消費電力で電池長持ち

用途

デザインリソース

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特長

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