S26KL128SDABHB020
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S26KL128SDABHB020

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S26KL128SDABHB020
S26KL128SDABHB020
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • インターフェース帯域幅
    200 MByte/s
  • バス幅
    x8
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KL-S
  • メモリ容量
    128 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 初期アクセス時間
    96 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 技術
    HYPERFLASH
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
S26KL128SDABHB020
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S26KL128SDABHB020は128 Mb（16 MB）のHYPERFLASH™ NORフラッシュメモリで、HYPERBUS™ DDRインターフェース、3.0 V動作、8ビットデータバスに対応。1.8 V時最大333 MBps、3.0 V時200 MBpsの連続読み出し、初期ランダムリード96 nsを実現。512バイトプログラムバッファ、1ビット訂正・2ビット検出ECC、ハードウェアCRC、高度なセクタ保護、低消費スタンバイ・ディープパワーダウン搭載。–40°C～+105°C（AEC-Q100グレード2）動作で自動車・産業・組み込み用途に最適。

特長

  • 3.0 V I/O、11本バス信号
  • 1.8 V I/O、12本バス信号
  • 最大333 MBps持続読出スループット
  • DDR：クロック毎に2回データ転送
  • 8ビットデータバス（DQ[7:0]）
  • 96ns初期ランダムリードアクセス
  • 512バイトプログラムバッファ
  • ECC：1ビット訂正、2ビット検出
  • ハードウェアCRC計算
  • セキュアシリコン領域（1024バイトOTP）
  • 高度なセクタ保護方式
  • 低消費電力モード：スタンバイ25µA、深パワーダウン8µA

利点

  • 高スループットで高速データアクセス
  • DDRでシステム性能向上
  • 8ビットバスで統合が容易
  • 高速ランダムアクセスで遅延低減
  • 大容量バッファで書込高速化
  • ECCでデータ信頼性確保
  • CRCでエラー迅速検出
  • セキュア領域で重要データ保護
  • 柔軟なセクタ保護で安全性向上
  • 低消費電力で電池長持ち

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ