これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。 これはサポート終了製品です。新しい代替製品バージョンを表示してください。
代替品を表示
S25FL032P0XMFA010
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

S25FL032P0XMFA010

生産終了

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.



製品仕様情報

  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    104 / -
  • インターフェース帯域幅
    40 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-P
  • メモリ容量
    32 MBit
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V~3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive

OPN
S25FL032P0XMFA010
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
梱包サイズ 1400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
梱包サイズ 1400
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S25FL032P0XMFA010は32 Mbit、3.0 V動作のSPI NORフラッシュメモリで、0.09 μm MirrorBit®技術を採用し、64個の均一な64 KBセクタと柔軟なトップ/ボトムパラメータブロックを備えます。最大104 MHz読み出し、クアッド/デュアルI/O、256バイトページプログラムに対応。高度なデータ保護、OTP領域、10万回/セクタの書き換え耐性、20年データ保持で-40°C~+85°Cのコードストレージや組み込み用途に最適です。

特長

  • 3.0 V単一電源動作
  • 2.7 V~3.6 V読書電圧範囲
  • 0.09 μm MirrorBit®プロセス
  • 均一64 KBセクター構造
  • 256バイトページサイズ
  • 1.5 ms 256バイトページ書込
  • クアッドページ高速書込
  • デュアル/クアッドI/O高速読出(80 MHz)
  • ブロック/セクター/サブセクター消去
  • 省電力待機・ディープパワーダウン
  • 10万回/セクター書換耐久
  • 20年データ保持

利点

  • 3.0 V電源で設計容易
  • 広電圧で多用途対応
  • MirrorBit®で高密度・高信頼
  • 均一セクターで管理簡単
  • 256バイト書込で高速動作
  • クアッド/デュアルI/Oで高速通信
  • 多様な消去で柔軟運用
  • 待機/パワーダウンで省エネ
  • 高耐久で長寿命
  • 20年データ保持で安心
  • OTPでセキュアID
  • JEDEC準拠で統合容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ