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S25FL032P0XMFA010

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S25FL032P0XMFA010
S25FL032P0XMFA010
代替品
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製品仕様情報

  • Density
    32 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    104 / -
  • インターフェース帯域幅
    40 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-P
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Automotive
OPN
S25FL032P0XMFA010
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
包装サイズ 1400
包装形態 TRAY
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (002-15548)
包装サイズ 1400
包装形態 TRAY
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
S25FL032P0XMFA010は32 Mbit、3.0 V動作のSPI NORフラッシュメモリで、0.09 μm MirrorBit®技術を採用し、64個の均一な64 KBセクタと柔軟なトップ/ボトムパラメータブロックを備えます。最大104 MHz読み出し、クアッド/デュアルI/O、256バイトページプログラムに対応。高度なデータ保護、OTP領域、10万回/セクタの書き換え耐性、20年データ保持で-40°C～+85°Cのコードストレージや組み込み用途に最適です。

機能

  • 3.0 V単一電源動作
  • 2.7 V～3.6 V読書電圧範囲
  • 0.09 μm MirrorBit®プロセス
  • 均一64 KBセクター構造
  • 256バイトページサイズ
  • 1.5 ms 256バイトページ書込
  • クアッドページ高速書込
  • デュアル/クアッドI/O高速読出（80 MHz）
  • ブロック/セクター/サブセクター消去
  • 省電力待機・ディープパワーダウン
  • 10万回/セクター書換耐久
  • 20年データ保持

利点

  • 3.0 V電源で設計容易
  • 広電圧で多用途対応
  • MirrorBit®で高密度・高信頼
  • 均一セクターで管理簡単
  • 256バイト書込で高速動作
  • クアッド/デュアルI/Oで高速通信
  • 多様な消去で柔軟運用
  • 待機/パワーダウンで省エネ
  • 高耐久で長寿命
  • 20年データ保持で安心
  • OTPでセキュアID
  • JEDEC準拠で統合容易

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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