JANSR2N7661U3CE
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JANSR2N7661U3CE
JANSR2N7661U3CE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) (最大)
    -15 A
  • QG
    49 nC
  • QPL型番
    2N7661U3CE
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    0.175 Ω
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF (最大)
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5e
  • 極性
    P
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
JANSR2N7661U3CE PチャネルMOSFETは、−200 Vおよび−15 Aの耐放射線性を備え、セラミック蓋のSMD-0.5eエンハンスド パッケージに収められており、最大100 krad (Si) TIDの電気性能を備えています。IR HiRel R9技術は、高信頼性の宇宙アプリケーションにおいて、実証済みの飛行実績を提供します。本デバイスはRDS(on) とゲート電荷が低いため、スイッチング アプリケーションに最適です。

特長

  • シングルイベント効果 (SEE) 耐性強化
  • 低 RDS(on)
  • 十分な安全動作領域 (SOA)
  • 高いアバランシェエネルギー定格
  • シンプルな駆動要件
  • 気密封止
  • セラミック パッケージ
  • 軽量
  • 表面実装

アプリケーション

宇宙アプリケーション
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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