JANSR2N7598U3CE
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JANSR2N7598U3CE

耐放射線 (Rad hard) 、600 V、3.5 A、NチャネルMOSFET、R6、SMD-0.5eセラミック リッド パッケージ - 100 krad (Si) TID、DLA
データシート
パッケージ

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JANSR2N7598U3CE
JANSR2N7598U3CE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@25°C) (最大)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL型番
    2N7598U3CE
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    3.1 Ω
  • SEE
    3 MeV∙cm2/mg
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5e
  • 極性
    N
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
JANSR2N7598U3CE NチャネルMOSFETは、600 V、3.4 Aの耐放射線性を備え、単一のSMD-0.5eセラミック リッド パッケージに収められています。QPL認定を取得しており、最大100 krad (Si) TIDまでの電気的性能を備えています。IR HiRel R6技術は、高信頼性の宇宙用途で実証済みのフライト実績を備えています。本デバイスはRDS (on) とゲート電荷が低いため、スイッチング用途に最適です。

特長

  • 気密封止
  • 低RDS (on)
  • シングルイベント効果耐性
  • 低総ゲート電荷
  • 簡易な駆動要件
  • 強化セラミック パッケージ
  • 軽量
  • ESD定格: クラス2 (MIL-STD-750, 1020)

アプリケーション

宇宙アプリケーション
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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