JANSR2N7598U3CE
Active and preferred

JANSR2N7598U3CE

耐放射線 (Rad hard) 、600 V、3.5 A、NチャネルMOSFET、R6、SMD-0.5eセラミック リッド パッケージ - 100 krad (Si) TID、DLA
データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSR2N7598U3CE
JANSR2N7598U3CE
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@25°C) (最大)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL型番
    2N7598U3CE
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    3.1 Ω
  • SEE
    3 MeV∙cm2/mg
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5e
  • 極性
    N
  • 認定
    DLA

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 Enhanced SMD0.5
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
JANSR2N7598U3CE NチャネルMOSFETは、600 V、3.4 Aの耐放射線性を備え、単一のSMD-0.5eセラミック リッド パッケージに収められています。QPL認定を取得しており、最大100 krad (Si) TIDまでの電気的性能を備えています。IR HiRel R6技術は、高信頼性の宇宙用途で実証済みのフライト実績を備えています。本デバイスはRDS (on) とゲート電荷が低いため、スイッチング用途に最適です。

特長

  • 気密封止
  • 低RDS (on)
  • シングルイベント効果耐性
  • 低総ゲート電荷
  • 簡易な駆動要件
  • 強化セラミック パッケージ
  • 軽量
  • ESD定格: クラス2 (MIL-STD-750, 1020)

アプリケーション

宇宙アプリケーション
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ