JANSG2N7697UFHC
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JANSG2N7697UFHC

PowIR-SMDパッケージの耐放射線、100 V、52 A、GaNトランジスタ — Powir-SMD、500 krad TID、COTS

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JANSG2N7697UFHC
JANSG2N7697UFHC

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    Gen 1
  • ID (@25°C) (最大)
    52 A
  • QG
    13 nC
  • QPL型番
    2N7697
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    6 mΩ
  • TID (最大)
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    3.9 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    500
  • パッケージ
    PowIR-SMD
  • 極性
    N
  • 認定
    JANS
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
低RDS(on)、低ゲート電荷、ゼロ逆回復電荷のIR HiRelのDLA認定、耐放射線GaNデバイスJANSG2N7697UFHCは、DC-DCコンバータとモーター制御における電力損失を最小限に抑えます。TIDおよびSEEの耐放射線試験/評価済みの本製品は、高周波電力管理に対応し、高い電力密度とペイロード質量の削減を実現します。

特長

  • シングルイベント効果 (SEE) LET = 70 MeV.cm²/mg
  • 超低RDS(on)
  • 低総ゲート電荷
  • ゼロ逆回復電荷
  • ハーメチックシール セラミックパッケージ
  • 表面実装
  • 軽量
  • ESD定格: class 1C

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ