新規設計は非推奨

IRHNM53110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
データシート
パッケージ

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IRHNM53110
IRHNM53110
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    4.4 A
  • ID (@25°C) max
    6.9 A
  • QG
    15 nC
  • QPL型番
    2N7503U8
  • RDS (on) (@25°C) max
    220 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.2 Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHNM53110 is a COTS rad hard R5 N-channel MOSFET in a SMD-0.2 package with 100V, 6.9A capabilities. R5 technology provides high-performance power MOSFETs for space applications with improved immunity to Single Event Effects (SEE). The low RDS(on) and gate charge also reduce power losses in DC-DC converters and motor control. This MOSFET offers voltage control, fast switching, and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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