IRHNA57Z60D
Active and preferred

IRHNA57Z60D

データシート
パッケージ

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IRHNA57Z60D
IRHNA57Z60D
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    75 A
  • ID (@25°C) (最大)
    75 A
  • QG
    200 nC
  • QPL型番
    2N7467U2
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    3.5 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF (最大)
    1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 on carrier
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-2 on carrier
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHNA57Z60D R5 rad hard N-channel MOSFET is designed for space applications with 30V/75A capabilities. The SMD-2 package on a DBC carrier provides electrical performance up to 100krad(Si) TID classification. Proven reliability in satellite applications makes it ideal for DC-DC converters and motor control with low RDS(on) and gate charge.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ