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IRFH7911
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

IRFH7911

生産終了
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm Lead Free package
パッケージ
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IRFH7911
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製品仕様情報

  • ID (@ TA=70°C) (最大)
    23 A, 23 A
  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    28 A, 28 A
  • Ptot (最大)
    3.4 W
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    3.4 W
  • Qgd (typ)
    11 nC, 11 nC
  • QG
    34 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3 mΩ, 3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    4 mΩ, 4 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    3 mΩ, 3 mΩ
  • RthJA (最大)
    37 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    PowerStage 5x6 (TISON-8)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
IRFH7911TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PQFN 5X6 18L
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PQFN 5X6 18L
パッケージ名 -
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

利点

  • RoHS Compliant
  • 100% Rg tested
  • Low Profile (less than 0.9 mm)
  • Dual N-Channel MOSFET
  • Control and Synchronous MOSFETs in one package
  • Low Charge Control MOSFET
  • Low Rdson Synchronous MOSFET
  • Intrinsic Schottky diode with Low Forward Voltage on Q2

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ