IAUTN08S7N007
新規
Active and preferred
RoHS対応

IAUTN08S7N007

新規
80 V、Nチャネル、最大0.64 mΩ、車載MOSFET、TOLL (10x12) 、OptiMOS™7
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IAUTN08S7N007
IAUTN08S7N007
個.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2040
  • ID (@25°C) (最大)
    350 A
  • QG (typ @10V)
    195 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    254 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.64 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.3 V～3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    PG-HSOF-8
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2026
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUTN08S7N007ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
IAUTN08S7N007は、インフィニオンの最先端パワー半導体技術であるOptiMOS™7 80 Vで構築された車載MOSFETです。この製品は、インフィニオンが初めて市場に投入したTOLL 10x12 mm²パワー パッケージで提供されます。要求の厳しい車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を満たすよう、専用に設計、認定、製造されています。

特長

  • 極めて低いオン抵抗 RDS (on)
  • 業界トップクラスのFOM (RDS (on) × Qg)
  • 高速スイッチング時間 (オン/オフ)
  • 高出力 高電流のTOLLパッケージ
  • 低いパッケージ抵抗とインダクタンス
  • 優れた熱性能
  • 高いSOA耐量
  • 狭いしきい値電圧VGS(th)範囲
  • AEC-Q101を超える拡張認定
  • 強化された電気試験
  • JEDEC準拠パッケージ

利点

  • きわめて低い導通損失
  • 優れたスイッチング性能
  • 高電力密度
  • 高効率
  • 設計の堅牢性向上
  • 並列配置に最適
  • BOM上のMOSFET点数を削減可能
  • 車載向けの品質と堅牢性
  • セカンドソース化の可能性
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }