IAUTN08S7N007
新規
Active and preferred
RoHS対応

IAUTN08S7N007

新規
80 V、Nチャネル、最大0.64 mΩ、車載MOSFET、TOLL (10x12) 、OptiMOS™7
データシート
パッケージ

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IAUTN08S7N007
IAUTN08S7N007
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2040
  • ID (@25°C) (最大)
    350 A
  • QG (typ @10V)
    195 nC
  • QG (typ @10V) (最大)
    254 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    0.64 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.3 V～3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    PG-HSOF-8
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2026
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
IAUTN08S7N007ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IAUTN08S7N007は、インフィニオンの最先端パワー半導体技術であるOptiMOS™7 80 Vで構築された車載MOSFETです。この製品は、インフィニオンが初めて市場に投入したTOLL 10x12 mm²パワー パッケージで提供されます。要求の厳しい車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を満たすよう、専用に設計、認定、製造されています。

特長

  • 極めて低いオン抵抗 RDS (on)
  • 業界トップクラスのFOM (RDS (on) × Qg)
  • 高速スイッチング時間 (オン/オフ)
  • 高出力 高電流のTOLLパッケージ
  • 低いパッケージ抵抗とインダクタンス
  • 優れた熱性能
  • 高いSOA耐量
  • 狭いしきい値電圧VGS(th)範囲
  • AEC-Q101を超える拡張認定
  • 強化された電気試験
  • JEDEC準拠パッケージ

利点

  • きわめて低い導通損失
  • 優れたスイッチング性能
  • 高電力密度
  • 高効率
  • 設計の堅牢性向上
  • 並列配置に最適
  • BOM上のMOSFET点数を削減可能
  • 車載向けの品質と堅牢性
  • セカンドソース化の可能性
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ