CY7C1041G-10VXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1041G-10VXI

データシート
パッケージ

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CY7C1041G-10VXI
CY7C1041G-10VXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 動作電圧 範囲
    4.5 V～5.5 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns

推奨
OPN
CY7C1041G-10VXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-SOJ-44
パッケージ名 SOJ-44 (51-85082)
梱包サイズ 510
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-SOJ-44
パッケージ名 SOJ-44 (51-85082)
梱包サイズ 510
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
CY7C1041G-10VXIは4 Mbit（256K×16）の非同期CMOS SRAMで、単一ビット誤り訂正用のECCを内蔵します。10 ns動作、電源4.5 V～5.5 V、動作温度-40°C～85°Cの産業グレード品です。BLE/BHEによるバイト書込みに対応し、CE自動パワーダウン（ISB2最大8 mA）を備えます。鉛フリー44ピンSOJ（400 mil）で、プロセッサ/バッファ用途のメモリに適します。

特長

  • 4-Mbit SRAM(256K×16)
  • ECC内蔵で1bit訂正
  • ERRで訂正イベント通知
  • アドレスtAA 10/15 ns
  • 読出し周期tRC 10/15 ns
  • OE→データtDOE最大4.5 ns
  • BHE/BLEでバイトアクセス
  • CE自動パワーダウン対応
  • 1.0 Vまでデータ保持
  • 動作温度-40°C～+85°C
  • TTL互換入出力

利点

  • ECCでSRAMデータ信頼性向上
  • ERRで故障監視が容易
  • 10 nsで高速CPUバス対応
  • 高速tDOEで読出し遅延低減
  • バイト有効で電力と転送削減
  • CEパワーダウンで待機電流低減
  • 1.0 V保持でバックアップ容易
  • 広温度でシステム信頼性向上
  • TTL互換で接続を簡素化

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ