CY62167GE30-45BV1XIT
Active and preferred
RoHS対応

CY62167GE30-45BV1XIT

データシート
パッケージ

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CY62167GE30-45BV1XIT
CY62167GE30-45BV1XIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62167GE30-45BV1XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62167GE30-45BV1XITは16-Mbit（1M×16または2M×8）のCMOSスタティックRAMで、内蔵ECCにより1ビット誤り訂正を行い、読出しサイクルで訂正が発生するとERR出力で通知します。2.2 V～3.6 V、-40°C～85°Cで動作し、速度グレードは45 nsです。BHE/BLEによるバイト書込みに対応し、自動パワーダウンとバイト単位パワーダウンでスタンバイ電流は1.5 µA typ、8 µA maxで、産業機器に適します。

特長

  • 16 Mbit SRAM;1M×16/2M×8
  • ECC内蔵、1ビット訂正
  • ERR出力で訂正を通知
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • 読出しサイクルtRC 45 ns
  • 書込みサイクルtWC 45 ns
  • 自動PD待機1.5 µA typ
  • 待機電流最大8 µA(ISB1)
  • データ保持電圧VDR 1.0 V
  • TTL互換の入出力レベル
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • 入出力容量最大10 pF

利点

  • バス幅可変で再設計削減
  • ECCで1ビット誤りを訂正
  • ERRで故障ログを迅速化
  • 2.2～3.6 Vで3.3 V対応
  • 45 nsで高速CPUに対応
  • 45 ns書込みで待ち削減
  • 1.5 µA typで電池寿命延長
  • 最大8 µAで待機電力低減
  • 1.0 V保持でデータ維持
  • TTL I/Oで旧IFに接続容易
  • バイト書込みで電力削減
  • 低容量で信号品質を向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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