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RoHS準拠
鉛フリー

2ED020I12-F2

1200 V dual high-side gate driver IC with galvanic isolation, DESAT and short circuit clamping
データシート
ボード
EA.
在庫あり

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2ED020I12-F2
2ED020I12-F2
EA.
データシート

Product details

  • I q 1 max
    4.5 mA
  • I q 2 max
    3 mA
  • PD アウト
    400 mW
  • RDSON_H(最大)
    12.5 Ω
  • RDSON_H(標準)
    10 Ω
  • RDSON_L (最大)
    4.25 Ω
  • RDSON_L(標準)
    1.5 Ω
  • RthJA
    110 K/W
  • VBS UVLO (Off)
    11 V
  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VCC UVLO (Off)
    3.8 V
  • VCC UVLO (On)
    4.1 V
  • アイソレーション タイプ
    Galvanic isolation - Functional
  • コンフィギュレーション
    High-side, Half Bridge
  • チャネル
    2
  • 伝搬遅延オフ
    165 ns
  • 伝搬遅延オン
    170 ns
  • 入力 Vcc
    4.5 V to 5.5 V
  • 出力電流 (Sink)
    2 A
  • 出力電流 (Source)
    2 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    1200 V
推奨
OPN
2ED020I12F2XUMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ PG-DSO-36
パッケージ名 N/A
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-DSO-36
パッケージ名 -
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
EiceDRIVER™ 1200 V dual high-side gate driver IC with typical 2 A source and 2 A sink output currents in a functional galvanically isolated PG-DSO-36 package for IGBTs and SiC MOSFETs .

機能

  • Coreless transformer isol. driver
  • 2 A rail-to-rail outputs
  • Protection function
  • VCEsat-detection
  • Active Miller Clamp

利点

  • Space saving package
  • Improved energy efficiency

図

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Circuit_diagram_2ED020I12-F2
Circuit_diagram_2ED020I12-F2 Circuit_diagram_2ED020I12-F2 Circuit_diagram_2ED020I12-F2
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ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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